对圆周方向的电阻值的不均匀依然无法改善。
此外，采用连续硫化法时，如果硫化时的热传递没有设法尽量达到均匀，则挤压后的硫化速度不一致，这样可能电阻值的不均匀程度反而大于间歇式硫化法。特别是在圆周方向上这种倾向更显著。
采用连续硫化法时，在挤压机的挤压筒内的半径方向上有非常大的剪切速度分布，这可能会影响电子导电性填充剂的分散。
众所周知，靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。如Ic制造商．近段时间致力于低电阻率铜布线的开发，预计未来几年将大幅度取代原来的铝膜，这样铜靶及其所需阻挡层靶材的开发将刻不容缓。另外，近年来平面显示器（FPD）大幅度取代原以阴极射线管（CRT）为主的电脑显示器及电视机市场．亦将大幅增加ITO靶材的技术与市场需求。此外在存储技术方面。高密度、大容量硬盘，高密度的可擦写光盘的需求持续增加．这些均导致应用产业对靶材的需求发生变化。绑定的适用范围技术上来说表面平整可进行金属化处理的靶材都可以用我司铟焊绑定技术绑定铜背靶来提高溅射过程的散热性、提高靶材利用率。下面我们将分别介绍靶材的主要应用领域，以及这些领域靶材发展的趋势。
超纯金属，指的化学杂质和物理杂质 (晶体缺陷) 含量的金属。目前主要以化学杂质的含量为标准，常以杂质在金属中总含 量的百万分之几表示 。超纯金属是相对高纯度的金属，一般指金属纯度达到纯度9以上的金属，物理杂质的概念才是有意义的。
材料的纯度对其性能，特别是微电子学、光电子学性能影响很大，现代高技术产业要求制备出超纯金属以利于制作器件。
稀土矿冶炼方法有两种，即湿法冶金和火法冶金。
湿法冶金属化工冶金方式，全流程大多处于溶液、溶剂之中，如稀土精矿的分解、稀土氧化物、稀土化合物、单一稀土金属的分离和提取过程就是采用沉淀、结晶、氧化还原、溶剂萃取、离子交换等化学分离工艺过程。现应用较普遍的是溶剂萃取法，它是工业分离高纯单一稀土元素的通用工艺。湿法冶金流程复杂，产品纯度高，该法生产成品应用面广阔。如今一般采取方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能控制膜厚，电导率高，薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点。
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